| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRFBE20 | Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A) | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
MOS(场效应管) | Vishay 威世科技 | Vishay |
技术参数
- 漏源电压（Vdss）：
800V
- 栅源极阈值电压（最大值）：
4V @ 250uA
- 漏源导通电阻（最大值）：
6.5 Ω @ 1.1A，10V
- 类型：
N 沟道
- 功率耗散（最大值）：
54W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220 |
2685 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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IR |
2024+ |
N/A |
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IR |
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TO-220 |
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TO-220 |
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IR |
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TO-200 |
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IR |
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TO-220AB |
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全新原装,现货库存长期供应 |
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VISHAY/IR |
24+ |
原厂封装 |
5950 |
原装现货假一罚十 |
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IR |
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更新时间2025-10-7 16:36:00
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