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IRF9530NSPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

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Infineon

英飞凌

IRF9530NSPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:767.31 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF9530NSPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

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IRF

IRF9530NSTRLPbF

HEXFET짰 Power MOSFET

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Infineon

英飞凌

IRF9530N

-100V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• P 通道MOSFET;

Infineon

英飞凌

IRF9530NS

-100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• P 通道MOSFET;

Infineon

英飞凌

IRF9530NLPBF

Advanced Process Technology

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IRF9530NPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    TO220

  • VDS max:

    -100 V

  • RDS (on) @10V max:

    200 mΩ

  • ID @25°C max:

    -14 A

  • QG typ @10V:

    38.7 nC

  • Polarity:

    P

  • VGS(th) min:

    -2 V

  • VGS(th) max:

    -4 V

  • VGS(th):

    -3 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
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