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Industry-standard pinout SO-8 Package 文件:256.23 Kbytes 页数:10 Pages | IRF | IRF | ||
采用 SO-8 封装的无卤素和无铅 20V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS\n• 超低的栅极阻抗\n• 双 N 通道 MOSFET; | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
20V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 工业标准引出线 SO-8 封装\n• 与现有表面封装技术兼容\n• 符合 RoHS , 无卤素\n• 符合MSL1,工业认证; | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- OPN:
IRF8910TRPBF
- Qualification:
Non-Automotive
- Package name:
SO8
- VDS max:
20 V
- RDS (on) @10V max:
13.4 mΩ
- RDS (on) @4.5V max:
18.3 mΩ
- ID @25°C max:
10 A
- QG typ @4.5V:
7.4 nC
- Polarity:
N+N/N+N
- VGS(th) min:
1.65 V
- VGS(th) max:
2.55 V
- VGS(th):
2.1 V
- Technology:
IR MOSFET™
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2025-10-4 14:14:00
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