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IRF8910PBF-1_15

Industry-standard pinout SO-8 Package

文件:256.23 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF8910G

采用 SO-8 封装的无卤素和无铅 20V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS\n• 超低的栅极阻抗\n• 双 N 通道 MOSFET;

Infineon

英飞凌

IRF8910PBF-1

20V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

\n优势:\n• 工业标准引出线 SO-8 封装\n• 与现有表面封装技术兼容\n• 符合 RoHS , 无卤素\n• 符合MSL1,工业认证;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IRF8910TRPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    SO8

  • VDS max:

    20 V

  • RDS (on) @10V max:

    13.4 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max:

    18.3 mΩ

  • ID @25°C max:

    10 A

  • QG typ @4.5V:

    7.4 nC

  • Polarity:

    N+N/N+N

  • VGS(th) min:

    1.65 V

  • VGS(th) max:

    2.55 V

  • VGS(th):

    2.1 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

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更多IRF8910供应商 更新时间2025-10-4 14:14:00