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IRF8910GPBF	文件：290.35 Kbytes Page：10 Pages	Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box 文件：290.35 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF8910GPBF	文件：290.35 Kbytes Page：10 Pages	Dual SO-8 MOSFET for POL Halogen-Free 文件：290.35 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF8910GTRPBF	文件：290.35 Kbytes Page：10 Pages	Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box 文件：290.35 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF8910G	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的无卤素和无铅 20V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS\n• 超低的栅极阻抗\n• 双 N 通道 MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRF8910G
功能描述：
MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 13.4mOhms 7.4nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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