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IRF7811AVPBF	文件：111.36 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Application-Specific MOSFETs Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessors. Th 文件：111.36 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF7811W	文件：146.99 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET for DC-DC Converters Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessors. • 文件：146.99 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF7811WGPBF	文件：190.42 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Application-Specific MOSFETs Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessors. • 文件：190.42 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF7811WPBF	文件：543.46 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET for DC-DC Converters Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessors. • 文件：543.46 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF7811AVPBF	文件：116.7 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Application-Specific MOSFETs 文件：116.7 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF7811AVPBF	文件：116.7 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Application-Specific MOSFETs 文件：116.7 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF7811AVPBF_15	文件：116.7 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Application-Specific MOSFETs 文件：116.7 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF7811AVPBF-1	文件：188.45 Kbytes Page：6 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：188.45 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF7811AVPBF-1_15	文件：188.45 Kbytes Page：6 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：188.45 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF7811AVTRPBF	文件：1.05277 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET 文件：1.05277 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Package ：
SO-8
VDS max：
30.0V
RDS (on)(@4.5V) max：
14.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TA=70°C) max：
13.0A
ID (@ TA=25°C) max：
14.0A
Ptot(@ TA=25°C) max：
3.5W
QG ：
17.0nC
RthJA max：
50.0K/W
Mounting ：
SMD
Tj max：
150.0°C
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
5.1nC
VGS max：
20.0V

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