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IRF7811WPBF规格书详情
描述 Description
This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessors.
• N-Channel Application-Specific MOSFETs
• Ideal for CPU Core DC-DC Converters
• Low Conduction Losses
• Low Switching Losses
• 100 Tested for Rg
• Lead-Free
产品属性
- 型号：
IRF7811WPBF
- 功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 15.6nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
SO-8 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | ||
IR |
24+ |
SOP |
1080 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
SOP-8 |
60000 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
21+ |
8-SO |
4000 |
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询价 | ||
IRF7811WTR |
25+ |
4429 |
4429 |
询价 | |||
IR |
24+ |
SOP8 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOP |
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询价 | ||
VBsemi(台湾微碧) |
2447 |
SO-8 |
105000 |
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询价 | ||
IOR |
1923+ |
SOP-8 |
3000 |
绝对进口原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOP-8 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |
