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IRF7811W	文件：146.99 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET for DC-DC Converters Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessors. • 文件：146.99 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF7811WGPBF	文件：190.42 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Application-Specific MOSFETs Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessors. • 文件：190.42 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF7811WPBF	文件：543.46 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET for DC-DC Converters Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessors. • 文件：543.46 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF7811WPBF	文件：191.31 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Application-Specific MOSFETs 文件：191.31 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF7811WTRPBF	文件：1.05271 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET 文件：1.05271 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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IRF7811W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET for DC-DC Converters	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRF7811W
制造商：
International Rectifier
功能描述：
MOSFET N SO-8

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更多IRF7811W供应商更新时间2025-10-6 23:00:00

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