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IRF7707	文件：154.25 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=-20V) Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanext	IRF International Rectifier	IRF
IRF7707PBF	文件：145.76 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7707GPBF	文件：242.51 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7707TRPBF	文件：242.14 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
LED7707	文件：1.16864 Mbytes Page：48 Pages	6-rows85mALEDsdriverwithboostregulatorforLCDpanelsbacklight	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
LED7707TR	文件：1.16864 Mbytes Page：48 Pages	6-rows85mALEDsdriverwithboostregulatorforLCDpanelsbacklight	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
LMP7707	文件：1.53932 Mbytes Page：24 Pages	Precision,CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeDecompensatedAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMP7707	文件：1.59684 Mbytes Page：41 Pages	Precision,CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeDecompensatedAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
LMP7707MA/NOPB	文件：1.59684 Mbytes Page：41 Pages	Precision,CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeDecompensatedAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
LMP7707MASLASHNOPB	文件：1.59684 Mbytes Page：41 Pages	Precision,CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeDecompensatedAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1

详细参数

型号：
IRF7707
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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