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IRF7389TRPBF	文件：1.12569 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features • N-Channel: 30V, 10A RDS(ON) 文件：1.12569 Mbytes 页数：8 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
IRF7389TRPBF-TP	文件：4.0645 Mbytes Page：10 Pages	N&P-Channel Complementary MOSFET General Features «+ N-Channel © Vos=30V. o=B.0A Rosny =17m0@ Vos=10V Rosco =24m0@Vos=4 5V + P-Channel * Vos=-30V,Ip=-6A Rosn =40mQ @Ves=-10V Rosco =60mQ @Vos=-45V «High Power and current handing capabilly «Lead ree products acquired « Surace Mount Package Application 文件：4.0645 Mbytes 页数：10 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IRF7389PBF	文件：264.86 Kbytes Page：10 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY 文件：264.86 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7389PBF_15	文件：264.86 Kbytes Page：10 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY 文件：264.86 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7389PBF-1	文件：269.66 Kbytes Page：10 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：269.66 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7389PBF-1_15	文件：269.66 Kbytes Page：10 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：269.66 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7389PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V 1N-1P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装	Infineon 英飞凌	Infineon

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