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IRF7343QPBF

HEXFET Power MOSFET

文件:238.21 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF7343QPBF_10

HEXFET POWER MOSFET

文件:226.63 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF7343QPBF_15

Advanced Process Technology

文件:226.63 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF7343QTRPBF

N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:2.7831 Mbytes 页数:14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRF7343TR

Generation V Technology

文件:189.24 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF7343TRPBF

N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:1.40036 Mbytes 页数:14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRF7343TRPBF

generation v technology

文件:225.09 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF7343Q

55V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package

Infineon

英飞凌

IRF7343TR

Generation V Technology

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IRF7343TRPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    SO8

  • VDS max:

    55 V

  • RDS (on) @10V max:

    50 mΩ/105 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max:

    65 mΩ/170 mΩ

  • ID @25°C max:

    4.7 A/-3.4 A

  • QG typ @10V:

    24 nC/26 nC

  • Polarity:

    N+P

  • VGS(th) min:

    -1 V/1 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
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更多IRF7343供应商 更新时间2025-10-7 13:00:00