HEXFET Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi

文件：143.7 Kbytes 页数：10 Pages

IRF

Dual N P Channel MOSFET

Features. NCh Vos ESsV. Rosion

文件：370.12 Kbytes 页数：10 Pages

EVVOSEMI

翊欧

丝印：IRF7343；Package：SOP-8；Dual N P Channel MOSFET

Features. NCh Vos ESsV. Rosion

文件：370.12 Kbytes 页数：10 Pages

EVVOSEMI

翊欧

采用 SO-8 封装的 55V 双 N 通道和 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 双 N 通道和 P 通道 MOSFET;

Infineon

英飞凌

HEXFET Power MOSFET

文件：210.58 Kbytes 页数：10 Pages

IRF

HEXFET Power MOSFET

文件：219.48 Kbytes 页数：10 Pages

IRF

DUAL N AND P CHANNEL MOSFET

文件：225.09 Kbytes 页数：10 Pages

IRF

DUAL N AND P CHANNEL MOSFET

文件：225.09 Kbytes 页数：10 Pages

IRF

Advanced Process Technology

文件：226.63 Kbytes 页数：10 Pages

IRF

HEXFET POWER MOSFET

文件：226.63 Kbytes 页数：10 Pages

IRF