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IRF7343Q中文资料55V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF7343Q

功能描述

55V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 16:42:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRF7343Q

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :55.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :50.0mΩ

  • RDS (on) max

    :50.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :65.0mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :105.0mΩ

  • RDS (on) max

    :105.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :170.0mΩ

  • Polarity 

    :N+P

  • ID (@ TA=25°C) max

    :-3.4A

  • ID (@ TA=70°C) max

    :-2.7A

  • ID (@ TA=70°C) max

    :3.8A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :4.7A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.0W

  • QG 

    :24.0nC 

  • QG 

    :26.0nC 

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd(typ) 

    :7.0nC 

  • RthJA max

    :62.5K/W

  • Tj max

    :150.0°C

  • VGS max

    :20.0V

  • Qgd(typ) 

    :8.4nC 

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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