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IRF7342QPBF_10	文件：170.45 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：170.45 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7342QTRPBF	文件：170.45 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Process Technology 文件：170.45 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7342QTRPBF	文件：2.04915 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：2.04915 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRF7342TRPBF	文件：1.19403 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：1.19403 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRF7342TRPBF	文件：164.57 Kbytes Page：7 Pages	Generation V Technology 文件：164.57 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7342PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	-55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7342QPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Process Technology	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF7342TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
-55 V
RDS (on) @10V max：
105 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
170 mΩ
ID @25°C max：
-3.4 A
QG typ @10V：
26 nC
Polarity：
P+P
VGS(th) min：
-1 V
Technology：
IR MOSFET™

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