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IRF7341QPBF	文件：231.77 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description TheseHEXFET®PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341QPBF	文件：218.6 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology Description TheseHEXFET®PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRF International Rectifier	IRF
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IRF7341TR	文件：340.07 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomized leadframeforenhancedthermalcharacteristicsand multiple-diecapabilitymakingitidealinavarietyof powerapplications.Withtheseimprovements,multiple devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically reducedboard	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7341TR	文件：379.66 Kbytes Page：7 Pages	GenerationVTechnology TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomized leadframeforenhancedthermalcharacteristicsand multiple-diecapabilitymakingitidealinavarietyof powerapplications.Withtheseimprovements,multiple devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically reducedboardspace.Thepa	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7341TR	文件：117.72 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341TRPBF	文件：1.1291 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF7341TRPBF	文件：163.98 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
ISO7341C	文件：1.47781 Mbytes Page：37 Pages	RobustEMC,Low-Power,Quad-ChannelReinforcedDigitalIsolators	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1

详细参数

型号：
IRF7341Q
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC
功能描述：
MOSFET

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