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IRF730B	文件：898.57 Kbytes Page：10 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF730B	文件：293.32 Kbytes Page：8 Pages	LowAreaSpecificOn-Resistance FEATURES •OptimalDesign -LowAreaSpecificOn-Resistance -LowInputCapacitance(Ciss) -ReducedCapacitiveSwitchingLosses -HighBodyDiodeRuggedness -AvalancheEnergyRated(UIS) •OptimalEfficiencyandOperation -LowCost -SimpleGateDriveCircuitry	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF730B	文件：3.10167 Mbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF730B	文件：201.45 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •DrainCurrent–ID=5.5A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) •FastSwitchingSpeed APPLICATIONS •Designedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications, suchasoff-lineswitchingpowers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF730B	文件：173.28 Kbytes Page：8 Pages	DSeriesPowerMOSFET FEATURES •OptimalDesign -LowAreaSpecificOn-Resistance -LowInputCapacitance(Ciss) -ReducedCapacitiveSwitchingLosses -HighBodyDiodeRuggedness -AvalancheEnergyRated(UIS) •OptimalEfficiencyandOperation -LowCost -SimpleGateDriveCircuitry -LowFigure-of-Merit(	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF730F	文件：365.66 Kbytes Page：6 Pages	6.0A,400V,1.0廓N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION ➤IRF730is400VHighvoltageN-Channelenhancement modepowerMOS-FETchipfabricatedinadvanced siliconepitaxialplanartechnology; ➤Advancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapability; ➤AvalancheEnergySpecified; ➤Source-to-DrainDiodeRecov	FS First Silicon Co., Ltd	FS
IRF730FI	文件：65.269 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •DrainCurrent–ID=3.5A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) •FastSwitchingSpeed APPLICATIONS •Designedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications, suchasoff-lineswitchingpowersu	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF730FP	文件：451.94 Kbytes Page：3 Pages	6.0A400VNCHANNELPOWERMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
IRF730PBF	文件：134.68 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF730PBF	文件：3.58963 Mbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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