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IRF730B中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

IRF730B

功能描述

400V N-Channel MOSFET

文件大小

898.57 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

Fairchild

中文名称

仙童半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-30 23:00:00

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IRF730B规格书详情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies and electronic lamp ballasts based on half bridge.

特性 Features

• 5.5A, 400V, RDS(on) = 1.0Ω @VGS = 10 V

• Low gate charge ( typical 25 nC)

• Low Crss ( typical 20 pF)

• Fast switching

• 100 avalanche tested

• Improved dv/dt capability

产品属性

  • 型号:

    IRF730B

  • 功能描述:

    MOSFET 400V N-Channel B-FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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