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IRF6665PBF	文件：238.79 Kbytes Page：10 Pages	Latest MOSFET Silicon technology Description ThisDigitalAudioMOSFETisspecificallydesignedforClass-Daudioamplifierapplications.ThisMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Furthermore,gatecharge,body-diodereverserecoveryandinternalgateresistanceareopti	IRF International Rectifier	IRF
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详细参数

型号：
IRF6665
功能描述：
MOSFET DIGITAL AUDIO 100V 1 N-CH HEXFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRF6665供应商更新时间2025-5-29 23:00:00

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