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IRF6665	文件：229.23 Kbytes Page：8 Pages	DIGITAL AUDIO MOSFET Description This Digital Audio MOSFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are opti 文件：229.23 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF6665	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 DirectFET ™ SH 封装，适用于音频	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF6665PBF	文件：238.79 Kbytes Page：10 Pages	Latest MOSFET Silicon technology Description This Digital Audio MOSFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are opti 文件：238.79 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6665TRPBF	文件：238.79 Kbytes Page：10 Pages	Latest MOSFET Silicon technology Description This Digital Audio MOSFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are opti 文件：238.79 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
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IRF6665PBF_15	文件：238.79 Kbytes Page：10 Pages	Latest MOSFET Silicon technology 文件：238.79 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6665TR1PBF	文件：238.79 Kbytes Page：10 Pages	Latest MOSFET Silicon technology 文件：238.79 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6665TRPBF	文件：238.79 Kbytes Page：10 Pages	Latest MOSFET Silicon technology 文件：238.79 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF6665TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SH (DIRECTFET)
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
62 mΩ
ID @25°C max：
19 A
QG typ @10V：
8.4 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
3 V
VGS(th) max：
5 V
VGS(th)：
4 V
Technology：
IR MOSFET™

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF6665供应商更新时间2025-10-11 9:38:00

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