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IRF6618中文资料30V N沟道HEXFET Power MOSFET,在DirectFET MT封装中具有20V栅极电压,额定电流为150 A。数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF6618

功能描述

30V N沟道HEXFET Power MOSFET,在DirectFET MT封装中具有20V栅极电压,额定电流为150 A。

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-23 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRF6618

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRF6618TRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :DirectFET MT (MG-WDSON-5)

  • VDS max

    :30 V

  • RDS (on) @10V max

    :2.2 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :3.4 mΩ

  • ID @25°C max

    :170 A

  • QG typ @4.5V

    :43 nC

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :1.35 V

  • VGS(th) max

    :2.35 V

  • VGS(th)

    :1.64 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

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