IRF6618中文资料30V N沟道HEXFET Power MOSFET，在DirectFET MT封装中具有20V栅极电压，额定电流为150 A。数据手册Infineon规格书
技术参数
- 制造商编号
：IRF6618
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IRF6618TRPBF
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：DirectFET MT (MG-WDSON-5)
- VDS max
：30 V
- RDS (on) @10V max
：2.2 mΩ
- RDS (on) @4.5V max
：3.4 mΩ
- ID @25°C max
：170 A
- QG typ @4.5V
：43 nC
- Polarity
：N
- VGS(th) min
：1.35 V
- VGS(th) max
：2.35 V
- VGS(th)
：1.64 V
- Technology
：IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
24+ |
MG-WDSON-5 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
QFN |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
IR |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
IR |
1923+ |
原厂封装 |
8600 |
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DirectFET |
56147 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DirectFET |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IOR |
24+ |
QFN |
5000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
QFN |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
DirectFET? Isometric MT |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
22+ |
QFN |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 |
