IRF6614中文资料采用 DirectFET ™ ST 封装的 40V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET数据手册Infineon规格书
IRF6614规格书详情
描述 Description
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。
特性 Features
• 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
• 产品符合 JEDEC 标准
• 高额定电流
• 双面冷却能力
• 封装高度低至 0.7 毫米
• 低寄生 (1-2 nH) 电感封装
• 100% 无铅（无 RoHS 豁免）
技术参数
- 制造商编号
：IRF6614
- 生产厂家
：Infineon
- Ptot(@ TA=25°C) max
：2.1 W
- Ptotmax
：42 W
- Qgd
：6 nC
- QG(typ @4.5V)
：19 nC
- RDS (on)(@4.5V) max
：9.9 mΩ
- RDS (on)(@10V) max
：8.3 mΩ
- RthJCmax
：3 K/W
- Tjmax
：150 °C
- VDSmax
：40 V
- VGS(th)
：1.8 V
- VGSmax
：20 V
- Mounting
：SMD
- Package
：DirectFET (S)
- Operating Temperature
：-40 °C to 150 °C
- Micro-stencil
：IRF66ST-25
- Polarity
：N
- Moisture Sensitivity Level
：1
- Budgetary Price €/1k
：1.02
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
10+ |
SMD |
1234 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
DIRECTFET |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
IR |
25+ |
SMD |
30000 |
原装现货 假一赔十. |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
DIRECTFET |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
DirectFE |
6600 |
只做原装,假一罚十,长期供货。 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
DIRECTFET |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2526+ |
DIRECTFET |
50000 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
DIRECTFET |
8000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 |
