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IRF6614	文件：259.35 Kbytes Page：9 Pages	DirectFET Power MOSFET Description The IRF6614 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET packageis compatible with existing layout 文件：259.35 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6614	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 DirectFET ™ ST 封装的 40V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。 • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化\n• 产品符合 JEDEC 标准\n• 高额定电流\n• 双面冷却能力\n• 封装高度低至 0.7 毫米\n• 低寄生 (1-2 nH) 电感封装\n• 100% 无铅（无 RoHS 豁免）;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF6614PBF	文件：275.75 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6614PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing la 文件：275.75 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6614TR1	文件：259.35 Kbytes Page：9 Pages	DirectFET Power MOSFET Description The IRF6614 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET packageis compatible with existing layout 文件：259.35 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6614TRPBF	文件：275.75 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6614PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing la 文件：275.75 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6614PBF	文件：275.75 Kbytes Page：10 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters 文件：275.75 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6614PBF_15	文件：275.75 Kbytes Page：10 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters 文件：275.75 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6614TR1PBF	文件：275.75 Kbytes Page：10 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters 文件：275.75 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6614TRPBF	文件：275.75 Kbytes Page：10 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters 文件：275.75 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6614TRPBF	文件：2.62043 Mbytes Page：6 Pages	Benchmark MOSFETs Product Selection Guide 文件：2.62043 Mbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF

技术参数

Ptot(@ TA=25°C) max：
2.1 W
Ptotmax：
42 W
Qgd：
6 nC
QG(typ @4.5V)：
19 nC
RDS (on)(@4.5V) max：
9.9 mΩ
RDS (on)(@10V) max：
8.3 mΩ
RthJCmax：
3 K/W
Tjmax：
150 °C
VDSmax：
40 V
VGS(th)：
1.8 V
VGSmax：
20 V
Mounting：
SMD
Package：
DirectFET (S)
Operating Temperature：
-40 °C to 150 °C
Micro-stencil：
IRF66ST-25
Polarity：
N
Moisture Sensitivity Level：
1
Budgetary Price €/1k：
1.02

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更多IRF6614供应商更新时间2026-4-17 13:30:00

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