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IRF6613	文件：233.62 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description The IRF6613 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout ge 文件：233.62 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF6613	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 DirectFET ™ MT 封装的 40V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF6613PBF	文件：241.84 Kbytes Page：9 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6613PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：241.84 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6613TR1PBF	文件：241.84 Kbytes Page：9 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6613PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：241.84 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6613TRPBF	文件：241.84 Kbytes Page：9 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6613PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：241.84 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6613PBF_15	文件：241.84 Kbytes Page：9 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters 文件：241.84 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6613TRPBF	文件：2.62043 Mbytes Page：6 Pages	Benchmark MOSFETs Product Selection Guide 文件：2.62043 Mbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF6613TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DirectFET MT (MG-WDSON-5)
VDS max：
40 V
RDS (on) @10V max：
3.4 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
4.1 mΩ
ID @25°C max：
150 A
QG typ @4.5V：
42 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1.35 V
VGS(th) max：
2.25 V
VGS(th)：
1.8 V
Technology：
IR MOSFET™

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