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IRF644NSTRRPBF	文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF644PBF	文件：1.64378 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF644PBF	文件：154.67 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoH	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF644S	文件：219.91 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.28ohm,Id=14A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswtiching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivieness. ●SurfaceMount ●AvailableinTape&Reel ●Dynamicdv/dtRating ●RepetitiveAvalanche	IRF International Rectifier	IRF
IRF644S	文件：186.97 Kbytes Page：8 Pages	Availableintapeandreel	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF644SPBF	文件：3.37253 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswtiching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivieness. ●SurfaceMount ●AvailableinTape&Reel ●Dynamicdv/dtRating ●RepetitiveAvalanche	IRF International Rectifier	IRF
IRF644SPBF	文件：249.24 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF644STRLPBFA	文件：249.24 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF644STRRPBFA	文件：249.24 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI644	文件：174.94 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.28ohm,Id=7.9A) HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRF644NLPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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