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IRF640NL

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200V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN：

    IRF640NLPBF

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    TO262

  • VDS max：

    200 V

  • RDS (on) @10V max：

    150 mΩ

  • ID @25°C max：

    18 A

  • QG typ @10V：

    44.7 nC

  • Polarity：

    N

  • VGS(th) min：

    2 V

  • VGS(th) max：

    4 V

  • VGS(th)：

    3 V

  • Technology：

    IR MOSFET™

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更多IRF640NL供应商 更新时间2025-12-1 17:53:00

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