IRF640NL中文资料200V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封装数据手册Infineon规格书
IRF640NL规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 具有业内先进的品质
• 动态的dv/dt额定值
• 快速开关
• 完全雪崩额定值
• 175°C 的工作温度
技术参数
- 制造商编号
:IRF640NL
- 生产厂家
:Infineon
- OPN
:IRF640NLPBF
- Qualification
:Non-Automotive
- Package name
:TO262
- VDS max
:200 V
- RDS (on) @10V max
:150 mΩ
- ID @25°C max
:18 A
- QG typ @10V
:44.7 nC
- Polarity
:N
- VGS(th) min
:2 V
- VGS(th) max
:4 V
- VGS(th)
:3 V
- Technology
:IR MOSFET™
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR(国际整流器) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO262 |
7350 |
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询价 | ||
IR |
25+ |
TO-220 |
54815 |
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询价 | ||
IR |
25+ |
TO262 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
TO262 |
25000 |
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Infineon/英飞凌 |
23+ |
TO262 |
12700 |
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Infineon/英飞凌 |
21+ |
TO262 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
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IR |
23+ |
TO/220 |
7000 |
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IR |
24+ |
TO262 |
18 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
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N/A |
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