IRF640N中文资料N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm数据手册ONSEMI规格书
技术参数
- 型号：
IRF640N
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
20+ |
TO-220 |
368 |
样品可出,原装现货 |
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
IR |
25+ |
TO220 |
510 |
全新原装正品支持含税 |
询价 | ||
IR |
22+ |
TO220 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-220 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
询价 | ||
原装IR |
19+ |
TO-220 |
20000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
2018+ |
TO-220 |
26976 |
代理原装现货/特价热卖! |
询价 | ||
FAIRCHIL |
TO-220 |
6500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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IR |
22+ |
TO-220 |
5000 |
全新原装现货!自家库存! |
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IR |
23+ |
TO-220 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
