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IRF634NLPBF	文件：222.71 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
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IRF634NPBF	文件：222.71 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
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IRF634NS	文件：301.06 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.435ohm,Id=8.0A) Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRF634NS	文件：162.91 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION FifthgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylow on-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigner	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRF634NSTRLPBF	文件：162.91 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION FifthgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylow on-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigner	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
IRF634B
功能描述：
MOSFET 250V Single
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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