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IRF630NSPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
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IRF630NSRPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NSTRLPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF630PBF	文件：2.10068 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)=0.40廓,ID=9.0A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF630PBF	文件：579.72 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF630PBF	文件：5.97495 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFETDynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF630PBF	文件：1.03175 Mbytes Page：6 Pages	9A,200VHeatsinkN-ChannelTypePowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRF630PBF	文件：1.53489 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch •DT-TrenchPowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF630S	文件：85.22 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL200V-0.35ohm-9A-D2PAKMESHOVERLAY]MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAYprocess.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=0.35Ω ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■100A	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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详细参数

型号：
IRF630MFP
制造商：
ST
功能描述：
N-CHANNEL 200V 0.35 OHM 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	IRF630MFP	ST	24+	TO-220F	559053		询价
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更多IRF630MFP供应商更新时间2025-6-8 16:37:00

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