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IRF624S	文件：180.04 Kbytes Page：9 Pages	Available in Tape and Reel DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK (TO-263) is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It prov 文件：180.04 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF624S	文件：217.97 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dv/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datashee 文件：217.97 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF624S	文件：191.31 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET Power MOSFET DESCRIPTION Third Generation Power MOSFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. • Surface Mount • available in Tape & Reel • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Aval 文件：191.31 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF624S_V01	文件：217.97 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dv/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datashee 文件：217.97 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF624SPBF	文件：1.7542 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET DESCRIPTION Third Generation Power MOSFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. • Surface Mount • available in Tape & Reel • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Aval 文件：1.7542 Mbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF624PBF	文件：283.78 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：283.78 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF624SPBF	文件：217.97 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：217.97 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF624PBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
50000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Drain Source Voltage：
250V
Maximum Continuous Drain Current：
4.4A
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

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更多IRF624供应商更新时间2025-10-4 13:00:00

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