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技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
3000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Drain Source Voltage：
200V
Maximum Continuous Drain Current：
3.3A
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

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更多IRF610供应商更新时间2026-4-17 16:03:00

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