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IRF540S	文件：370.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=77mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·AutomaticTestEquipment ·High-SideSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF540SPBF	文件：2.16696 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovid	IRF International Rectifier	IRF
IRF540SPBF	文件：176.15 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF540SPBF	文件：216.6 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF540STRLPBF	文件：176.15 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF540STRLPBFA	文件：216.6 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRF540Z	文件：310.12 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=100V RDS(on)=26.5mΩ ID=36A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingte	IRF International Rectifier	IRF
IRF540Z	文件：308.2 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRF540F
功能描述：
MOSFET REORD 511-IRF540
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
100 V
闸/源击穿电压：
+/- 20 V
漏极连续电流：
17 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.077 Ohms
配置：
Single
最大工作温度：
+ 175 C
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
TO-220
封装：
Tube

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