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IRF540N	文件：338.1 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF540NL	文件：125.07 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=44mohm,Id=33A) AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthede	IRF International Rectifier	IRF
IRF540NL	文件：274.28 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF540NL	文件：1.0709 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF540NL	文件：300.13 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-262package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF540NLPBF	文件：284.02 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF540NLPBF	文件：284.98 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF540NLPBF	文件：284.98 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF540NPBF	文件：149.83 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF540NPBF	文件：984.19 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFETS •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
IRF540F
功能描述：
MOSFET REORD 511-IRF540
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
100 V
闸/源击穿电压：
+/- 20 V
漏极连续电流：
17 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.077 Ohms
配置：
Single
最大工作温度：
+ 175 C
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
TO-220
封装：
Tube

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