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IRF530NS

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N 沟道功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN：

    IRF530NSTRLPBF

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    D2PAK

  • VDS max：

    100 V

  • RDS (on) @10V max：

    90 mΩ

  • ID @25°C max：

    17 A

  • QG typ @10V：

    24.7 nC

  • Polarity：

    N

  • VGS(th) min：

    2 V

  • VGS(th) max：

    4 V

  • VGS(th)：

    3 V

  • Technology：

    IR MOSFET™

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