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IRF3205ZPBF	文件：385.59 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：385.59 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
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IRF3205ZPBF_15	文件：385.59 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：385.59 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3205ZS	文件：5.0983 Mbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 文件：5.0983 Mbytes 页数：12 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF3205ZS	文件：300.06 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：300.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF3205ZSPBF	文件：385.59 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：385.59 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3205ZSTRLPBF	文件：385.59 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：385.59 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3205Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	55V 单个 n 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF3205ZS	文件：300 bytes Page：1 Pages	55V 单个 n 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2Pak 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF3205ZSTRL	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK	Vishay 威世	Vishay

技术参数

OPN：
IRF3205ZPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
6.5 mΩ
ID @25°C max：
110 A
QG typ @10V：
76 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRF3205Z供应商更新时间2025-10-11 9:58:00

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