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IRF3007L

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:300.29 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRF3007PBF

HEXFET짰 Power MOSFET

文件:215.71 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF3007PBF

Ultra Low On-Resistance

文件:267.97 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRF3007PBF_15

Ultra Low On-Resistance

文件:267.97 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRF3007S

丝印:D2PAK;Package:TO-263;Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:189.03 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRF3007SPBF

Ultra Low On-Resistance

文件:328.76 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF3007SPBF_15

Ultra Low On-Resistance

文件:328.76 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF300P227

IR MOSFET - StrongIRFET?

文件:1.05295 Mbytes 页数:17 Pages

INFINEON

英飞凌

IRF3007

75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

Infineon

英飞凌

IRF3007S

N 沟道功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Package :

    TO-220

  • VDS max:

    75.0V

  • RDS (on) max:

    12.6mΩ

  • RDS (on)(@10V) max:

    12.6mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID  max:

    56.0A

  • ID (@ TC=100°C) max:

    56.0A

  • ID (@ TC=25°C) max:

    80.0A

  • Ptot max:

    200.0W

  • QG :

    89.0nC 

  • Mounting :

    THT

  • Qgd :

    30.0nC 

  • RthJC max:

    0.74K/W

  • Tj max:

    175.0°C

  • VGS max:

    20.0V

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
22+
SSOP8
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
询价
IR
23+
SSOP8
8000
专注配单,只做原装进口现货
询价
IR
23+
SSOP8
7000
询价
IR
26+
SSOP-8
8238
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
询价
IR
24+/25+
13800
原装正品现货库存价优
询价
IR
05+
原厂原装
1851
只做全新原装真实现货供应
询价
IR
13+
TO-220
26258
原装分销
询价
IR
24+
原厂封装
1106
原装现货假一罚十
询价
IR
2015+
TO-220AB
12500
全新原装,现货库存长期供应
询价
IR
25+
SOP-8
18000
原厂直接发货进口原装
询价
更多IRF300供应商 更新时间2026-1-23 10:02:00