HEXFET짰 Power MOSFET

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IRF

Advanced Process Technology

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IRF

采用 TO-220 封装的 75V 单 N 沟道功率 MOSFET

\n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)\n• Industry standard through-hole power package\n• High-current carrying capability package (upto 195A, die-size ;

Infineon

英飞凌

75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度\n ;

Infineon

英飞凌

采用 7 引脚 D2-Pak 封装的 75V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;

Infineon

英飞凌