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IRF1310NPBF

HEXFET POWER MOSFET

文件:592.94 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRF1310NPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:599.79 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRF1310NS

丝印:D2PAK;Package:TO-263;Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:189.3 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRF1310NSPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:726.76 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF1310NSPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:726.76 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF1310NSTRLPBF

Advanced Process Technology

文件:726.76 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF1310N

100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

Infineon

英飞凌

IRF1310NS

100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

Infineon

英飞凌

IRF1310NLPBF

HEXFET Power MOSFET

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IRF1310NPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    TO220

  • VDS max:

    100 V

  • RDS (on) @10V max:

    36 mΩ

  • ID @25°C max:

    42 A

  • QG typ @10V:

    73.3 nC

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    2 V

  • VGS(th) max:

    4 V

  • VGS(th):

    3 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
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TO220
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TO-220
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TO-220AB
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TO-220
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原装正品,假一罚十
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QFN
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原厂直接发货进口原装
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更多IRF1310N供应商 更新时间2026-1-20 16:42:00