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IRF1018ESL中文资料采用 TO-262 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF1018ESL

功能描述

采用 TO-262 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-12-13 23:01:00

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IRF1018ESL规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF1018ESL

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :60.0V

  • RDS (on) max

    :8.4mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :8.4mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TC=100°C) max

    :56.0A

  • ID  max

    :56.0A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :79.0A

  • Ptot max

    :110.0W

  • QG 

    :46.0nC 

  • Mounting 

    :THT

  • Qgd 

    :12.0nC 

  • Tj max

    :175.0°C

  • RthJC max

    :1.32K/W

  • VGS max

    :20.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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