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IRF1018ESL	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封装; \n优势:\n• 符合 RoHS\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF1018ESLPBF	文件：429.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRF1018ESLPBF	文件：435.45 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRF1018ESPBF	文件：429.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRF1018ESPBF	文件：435.45 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1018E	文件：335.83 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighSpeedPowerSwitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤8.4mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR1018EPBF	文件：366.84 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETTMPowerMOSFET Benefits •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA •EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications •HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS •UninterruptiblePowerSupply •HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1018EPBF	文件：374.37 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1018EPBF	文件：374.37 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS Benefits •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA •EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications •HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS •UninterruptiblePowerSupply •HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1018ETRPBF	文件：374.37 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS Benefits •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA •EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications •HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS •UninterruptiblePowerSupply •HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF

技术参数

VDS max：
60.0V
RDS (on) max：
8.4mΩ
RDS (on)(@10V) max：
8.4mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
56.0A
ID max：
56.0A
ID (@ TC=25°C) max：
79.0A
Ptot max：
110.0W
QG ：
46.0nC
Mounting ：
THT
Qgd ：
12.0nC
Tj max：
175.0°C
RthJC max：
1.32K/W
VGS max：
20.0V

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