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ITG-1010	文件：652.95 Kbytes Page：46 Pages	MEMSgyroscope	TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司	TDK
ITM1010	文件：629.02 Kbytes Page：19 Pages	CDMACellular/CDMA450ReceiverRFFront-endIC	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ITM1010EV	文件：629.02 Kbytes Page：19 Pages	CDMACellular/CDMA450ReceiverRFFront-endIC	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ITM1010TR	文件：629.02 Kbytes Page：19 Pages	CDMACellular/CDMA450ReceiverRFFront-endIC	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
K1010	文件：263.09 Kbytes Page：2 Pages	HighReliabilityPhotoCoupler Features 1.Currenttransferratio(CTR：Min.50atIF=5mAVCE=5V) 2.Highisolationvoltagebetweeninputandoutput(Viso：5000Vrms) 3.Compactdual-in-linepackage. 4.PbfreeandRoHScompliant. 5.AgencyApprovals •ULUL1577/CULC22.2No.1&NTCNo.5,FileNo.E1695	COSMOCOSMO Electronics Corporation 冠西电子冠西电子企业股份有限公司	COSMO

详细参数

型号：
IRF1010NSTRL
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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