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IRF1010NLPBF	文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：298.2 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
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IRF1010NPBF	文件：231.48 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology 文件：231.48 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF1010NPBF_15	文件：231.48 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology 文件：231.48 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF1010NS	文件：263.33 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：263.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1010NSPBF	文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：298.2 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
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IRF1010NSTRRPBF	文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：298.2 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1010N	文件：300 bytes Page：1 Pages	55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF1010NPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
11 mΩ
ID @25°C max：
85 A
QG typ @10V：
80 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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