IRF1010NS中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
IRF1010NS
- 功能描述:
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
- RoHS:
否
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
HEXFET®
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
56000 |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
TO263 |
74017 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
IR/VISHAY |
22+ |
SOT-263 |
20000 |
保证原装正品,假一陪十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
D2PAK |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
45000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO-263 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
INTREC |
23+ |
NA |
640 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
IR |
2016+ |
TO-263 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
5 |
询价 | |||
IR |
1923+ |
TO-263 |
5000 |
正品原装品质假一赔十 |
询价 |