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IRF3710PBF	文件：185.06 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFETÆPowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710PBF	文件：1.6614 Mbytes Page：7 Pages	57A,100VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRF3710S	文件：184.53 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.025ohm,Id=57A) VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710S	文件：189.08 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3710SPBF	文件：279.47 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=23m廓,ID=57A) VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710STRLPBF	文件：297.54 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710STRRPBF	文件：297.54 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710Z	文件：270.17 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710Z	文件：4.63191 Mbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF3710Z	文件：339.41 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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产品属性

产品编号：
IRDC3710-QFN
制造商：
Infineon Technologies
类别：
开发板，套件，编程器 > 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS
系列：
SupIRBuck®
包装：
盒
主要用途：
DC/DC，步降
输出和类型：
1，非隔离
电压 - 输出：
1.1V
电流 - 输出：
20A
电压 - 输入：
8V ~ 19V
稳压器拓扑：
降压
频率 - 开关：
300kHz
板类型：
完全填充
所含物品：
板
使用的 IC/零件：
IR3710
描述：
BOARD EVAL SYNC BUCK CONTROLLER

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