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IRFP140	文件：1.00904 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Isolatedcentralmountinghole •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Not	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP140A	文件：256.18 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.041Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFP140A	文件：277.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP140N	文件：158.05 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0,052ohm,Id=33A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFP140N	文件：126.76 Kbytes Page：10 Pages	33A,100V,0.040Ohm,N-ChannelPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.040Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE™andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.intersil.com •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP140N	文件：334.21 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP140NPBF	文件：345.06 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFP140NPBF	文件：353.99 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFP140NPBF	文件：1.68131 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFP140PBF	文件：1.22262 Mbytes Page：8 Pages	Preferredforcommercail-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludetheuseofTO-220devices. Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternatioalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IR140CSPTR
功能描述：
肖特基二极管与整流器 1.0 Amp 40 Volt
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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