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IR21271PBF	文件：194.19 Kbytes Page：16 Pages	CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER Description The IR2127/IR2128/IR21271(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3V. The protection circu 文件：194.19 Kbytes 页数：16 Pages	IRF	IRF
IR21271PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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IR21271SPBF	文件：194.19 Kbytes Page：16 Pages	CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER Description The IR2127/IR2128/IR21271(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3V. The protection circu 文件：194.19 Kbytes 页数：16 Pages	IRF	IRF

产品属性

产品编号：
IR21271PBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
高压侧或低压侧
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
9V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
250mA，500mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
80ns，40ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-PDIP
描述：
IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

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