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IR2125PBF

CURRENT LIMITING SINGLE CHANNEL DRIVER

Description The IR2125(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with over-current limiting protection circuitry. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, dow

文件:216.16 Kbytes 页数:17 Pages

IRF

IR2125PBF

Package:8-DIP(0.300",7.62mm);包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP

INFINEON

英飞凌

NJM2125

SINGLE-SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIER

文件:247.05 Kbytes 页数:5 Pages

NJRC

日本无线

NJM2125F

SINGLE-SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIER

文件:247.05 Kbytes 页数:5 Pages

NJRC

日本无线

RF2125

HIGH POWER LINEAR AMPLIFIER

Product Description The RF2125 is a high power, high efficiency linear amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as the final RF amplifier in digital PCS phone transmitters and base stati

文件:104.66 Kbytes 页数:6 Pages

RFMD

威讯联合

产品属性

  • 产品编号:

    IR2125PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    高端

  • 通道类型:

    单路

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    0V ~ 18V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.6A,3.3A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    43ns,26ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    8-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供应商器件封装:

    8-PDIP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
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PDIP-8
60000
Infineon(英飞凌)原装栅极驱动芯片IR2125PBF即刻询购立享优惠长期有订
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更多IR2125PBF供应商 更新时间2026-10-31 14:14:00