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IRF140	文件：211.32 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF140	文件：22.12 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF140	文件：146.34 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,27A,60-100V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF140	文件：144.37 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=100V,Rds(on)=0.077ohm,Id=28A) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio	IRF International Rectifier	IRF
IRF140	文件：55.94 Kbytes Page：7 Pages	28A,100V,0.077Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF140	文件：147.86 Kbytes Page：7 Pages	RepetitiveAvalancheRatings	IRF International Rectifier	IRF
IRF140	文件：103.6 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,27A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF140	文件：48.3 Kbytes Page：2 Pages	HighPower,HighSpeedApplications DESCRIPTION •DrainCurrentID=27A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage-:VDSS=100V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.085Ω(Max) •HighPower,HighSpeedApplications APPLICATIONS •Switchingpowersupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF140SMD	文件：22.64 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFM140	文件：211.73 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETTRANSISTOR 100Volt,0.077OhmHEXFET TheHEXFET®technologyisthekeytointernationalRectifiersadvancelineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. FEATURES: ■RepetitiveAvalancheRating ■IsolatedandHer	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IR140CSPTR
功能描述：
肖特基二极管与整流器 1.0 Amp 40 Volt
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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