IR-220P资料使用说明书批发供应Badger第3页-114ic电子网

首页 >IR-220P>规格书列表

零件型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IRFF220	文件：80.91 Kbytes Page：2 Pages	AbsoluteMaximumRatings N-ChannelPowerMOSFET	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFM220A	文件：277.14 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):0.626Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFM220B	文件：727.8 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFR/U220A	文件：258.54 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10A(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):0.626Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFR220	文件：55.93 Kbytes Page：7 Pages	4.6A,200V,0.800Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFR220	文件：1.44698 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR220	文件：3.96242 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR220	文件：332.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR220	文件：1.42322 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
IRFR220	文件：816.14 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR220,SiHFR220) •Straightlead(IRFU220,SiHFU220) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

<<<1 234 5 6 >>>

技术参数

工作压力：
? to 100 psi (? to 70.38 m H2O)
流速：
0.5000 to 30 ft/sec (0.1524 to 9.14 m/sec)
测量介质：
Liquid
电气输出：
Frequency
工作温度：
? to 140 F (? to 60 C)
管道直径：
1.50 to 4.00 inch (38.1 to 102 mm)
仪表类型：
Velocity Flow Meter
安装：
In-line
产品类别：
Flow Meters
测量技术：
Target Meter

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IR220TR	IR	22+	NA	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IR220TR	IR	23+	NA	8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IR220TR	IR	23+	NA	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IR220TR	IR	23+	NA	7000		询价
深圳市一线半导体有限公司	IR2210-ES	IOR	24+	DIP-14P	79		询价
深圳市能元时代电子有限公司	IR2210S	IOR	23+	SOP16	33537	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
深圳市芯诚实创科技有限公司	IR2210SG7	IOR	2022	SOP-16	250	全新原装现货热卖	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IR2211	IR	23+	DIP-14	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	IR2211	IR	22+	DIP-14	14008	原装正品	询价
上海意淼电子科技有限公司	IR2212	N/A	23+	SOP-8	20000	全新原装假一赔十	询价

更多IR-220P供应商更新时间2025-7-28 14:01:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号