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IRFD220	文件：91 Kbytes Page：7 Pages	0.8A,200V,0.800Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllothesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitchingr	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFD220	文件：1.78249 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD220	文件：994.7 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgene	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD220PBF	文件：1.78249 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD220PBF	文件：1.8102 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFD220PBF	文件：994.7 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFE220	文件：228.56 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET®TRANSISTORS SURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignerst	IRF International Rectifier	IRF
IRFE220	文件：197.15 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF220	文件：325.04 Kbytes Page：7 Pages	3.5A,200V,0.800Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF220	文件：45.46 Kbytes Page：2 Pages	N?밅HANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

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技术参数

工作压力：
? to 100 psi (? to 70.38 m H2O)
流速：
0.5000 to 30 ft/sec (0.1524 to 9.14 m/sec)
测量介质：
Liquid
电气输出：
Frequency
工作温度：
? to 140 F (? to 60 C)
管道直径：
1.50 to 4.00 inch (38.1 to 102 mm)
仪表类型：
Velocity Flow Meter
安装：
In-line
产品类别：
Flow Meters
测量技术：
Target Meter

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更多IR-220P供应商更新时间2025-7-28 14:01:00

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