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IPT017N10NF2S	文件：1.00033 Mbytes Page：11 Pages	丝印：017N10NS；Package：PG-HSOF-8；StrongIRFETTM 2 Power-Transistor Features • Optimized for a wide range of applications • N-Channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件：1.00033 Mbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPT017N10NF2S	文件：300 bytes Page：1 Pages	StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 100 V，采用 TOLL 封装 \n优势:\n• Multi-vendor compatibility\n• Right-fit products\n• Supports a wide variety of applications\n• Standard pinout allows for drop-in replacement\n• Increased current carrying capability;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPT1-110-02-L-D	文件：0 bytes Page：0 Pages	汽车电子连接器	SAMTEC/砷泰上传：天津市博通航睿技术有限公司	SAMTEC/砷泰
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更多IPT017N10NF2S供应商更新时间2024-2-29 11:17:00