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IPT047N15NM6	文件：1.1658 Mbytes Page：13 Pages	Marking：047N15N6；Package：PG-HSOF-8；MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V Features •N‑channel,normallevel •Verylowon‑resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •100%avalanchetested •Pb‑freeleadplating;RoHScompliant •Halogen‑freeaccordingtoIEC61249‑2‑21 •MSL1classifiedaccordingtoJ‑STD‑020	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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IPT047N15NM6

文件：1.1658 Mbytes

Page：13 Pages

Marking：047N15N6；Package：PG-HSOF-8；MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V

Features •N‑channel,normallevel •Verylowon‑resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •100%avalanchetested •Pb‑freeleadplating;RoHScompliant •Halogen‑freeaccordingtoIEC61249‑2‑21 •MSL1classifiedaccordingtoJ‑STD‑020

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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更多IPT047N15NM6供应商更新时间2025-5-23 19:10:00

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